企业等级: | 商盟会员 |
经营模式: | 生产加工 |
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溅射靶材ITO靶材的生产工艺 ITO靶材的生产工艺可以分为3种:热等静压法(HIP)、溅射靶材热压法(HP)和气氛烧结法。各种生产工艺及其特点简介如下:
热等静压法:ITO靶材的热等静压制作过程是将粉末或预先成形的胚体,在800℃~1400℃及1000kgf/cm 2~2000kgf/cm 2的压力下等方加压烧结。热等静压工艺制造产品密度高、物理机械性能好,但设备投入高,尾气收受系统,生产成本高,产品的缺氧率高。
超纯金属的检测方法极为困难。痕量元素的化学分析系指一克样品中含有微克级(10克/克)、毫微克级(10克/克)、微微克级(10克/克)杂质的确定。常用的手段有中子和带电粒子活化分析,原子吸收光谱分析,荧光分光光度分析,尾气收受系统工艺,质谱分析,化学光谱分析及气体分析等。在单晶体高纯材料中,晶体缺陷对材料性能起显著影响,称为物理杂质,主要依靠在晶体生长过程中控制单晶平稳均匀的生长来减少晶体缺陷。
但是靶材制作困难,这是因为氧化铟不容易烧结在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作为烧结添加剂,能够获得密度为理论值的93%~98%的靶材,尾气收受系统价格,这种方式形成的ITO薄膜的性能与添加剂的关系极大。日本的科学家采用Bizo作为添加剂,Bi2O3在820Cr熔化,尾气收受系统报价,在l500℃的烧结温度超出部分已经挥发,这样能够在液相烧结条件下得到比较纯的ITO靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒,这样可以简化前期的工序。
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