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但是靶材制作困难，金电解槽设计，这是因为氧化铟不容易烧结在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作为烧结添加剂，能够获得密度为理论值的93%~98%的靶材，这种方式形成的ITO薄膜的性能与添加剂的关系极大。日本的科学家采用Bizo作为添加剂，Bi2O3在820Cr熔化，在l500℃的烧结温度超出部分已经挥发，这样能够在液相烧结条件下得到比较纯的ITO靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒，这样可以简化前期的工序。

在传统产业的应用领域中，对于的需求也随着这些产业的兴衰而出现此起彼落此消彼长，金电解槽设计找哪家好，甚至出现行业的淘汰而与无缘，例如照相用胶卷。科技的进步和发展，使传统产业发生剧烈的变迁，也使的供求状况出现急剧的变化，这种变化也是导致了的价格出现剧烈波动的因素之一。然而在传统产业不断的和转型中，依然成为选择的关键性材料，用更和更科学的工艺和手段，把的性能发挥得更淋漓尽致。

烧结法： ITO靶材烧结制作法是在以铟锡氧化物共沉淀粉末或氧化铟和氧锡混合粉末为原料，加入粘结剂和分散剂混合后，压力成型，脱脂，金电解槽设计哪家好，然后于1400℃---1600℃烧结。烧结法设备投入少，成本低，金电解槽设计报价，产品密度高、缺氧率低，尺寸大、但制造过程中对粉末的选择性很强。

ITO靶制备的透明导电薄膜广泛应用于数码相机、投影电视、数码显示的各种光学系统中，需求量都很大。