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溅射靶材ITO靶材的生产工艺 ITO靶材的生产工艺可以分为3种：热等静压法(HIP)、溅射靶材热压法(HP)和气氛烧结法。各种生产工艺及其特点简介如下：

热等静压法：ITO靶材的热等静压制作过程是将粉末或预先成形的胚体，在800℃～1400℃及1000kgf/cm 2～2000kgf/cm 2的压力下等方加压烧结。热等静压工艺制造产品密度高、物理机械性能好，但设备投入高，纯银零部件报价，生产成本高，产品的缺氧率高。

而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺，纯银零部件回收，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率，能够满足！导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。

为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50nm，与铜及介质材料的附着性能良好。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。铜互连的阻挡层用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是难熔金属．制作相对困难，河北纯银零部件，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。

所述泡沫弹性层包含:至少三种具有不同体积电阻率的导电性橡胶，这三种导电性橡胶的体积电阻率小于约I X ο14 Ω Cm ;至少一种体积电阻率为约IXlO14Qcm或更大的绝缘橡胶；以及至少两种导电性填料。

所述绝缘橡胶为选自由三元乙丙橡胶、硅橡胶和丁基橡胶构成的组中的至少一种橡胶。根据本发明的第三方面，所述导电性橡胶和所述绝缘橡胶为氯醚橡胶、丁苯橡胶和三元乙丙橡胶，或者为氯丁橡胶、氯醚橡胶、丁苯橡胶和三元乙丙橡胶。根据本发明的第四方面，所述绝缘橡胶的含量为橡胶成分总量的约30质量％至约40质量％。