安庆金蒸发镀靶材-沈阳东创【】-金蒸发镀靶材技术

热压法：ITO靶材的热压制作过程是在石墨或氧化铝制的模具内充填入适当粉末以后，金蒸发镀靶材技术，以 100kgf/cm 2～1000kgf/cm 2的压力单轴向加压，同时以1000℃～1600℃进行烧结。热压工艺制作过程所需的成型压力较小，烧结温度较低，烧结时间较短。但热压法生产的ITO靶材由于缺氧率高，金蒸发镀靶材厂家，氧含量分布不均匀，从而影响了生产ITO薄膜的均匀性，安庆金蒸发镀靶材，且不能生产大尺寸的靶。

在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外，金蒸发镀靶材工艺，薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大，过99.995%（4N5）纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。

用于复印机和打印机等的带电辊、显影辊、色粉供给辊、转印辊等都必须具备适当的稳定的电阻值。

以往，使上述辊筒具有导电性的方法包括采用在橡胶中混入了金属氧化物粉末和碳黑等导电性填充剂的电子导电性橡胶的方法；采用聚氨酯橡胶、表氯橡胶等离子导电性橡胶(聚合物)或含有季铵盐等离子导电材料的离子导电性聚合物的组合物的方法。