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区域提纯后的金属锗，其锭底表面上的电阻率为30～50欧姆  厘米时，纯度相当于8～9，可以满足电子器件的要求。但对于杂质浓度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探测器级超纯锗，则尚须经过特殊处理。

由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1，要加强化学提纯方法除去这些杂质，然后再进行区熔提纯。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质（载流子）浓度，一般可达10～10原子/厘米。经切头去尾，再利用多次拉晶和切割尾，哪家有银钯靶材，一直达到所要求的纯度（10原子/厘米），这样纯度的锗（相当于13）所作的探测器，其分辨率已接近于理论数值。

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什么是靶材绑定？靶材绑定的适用范围、流程？

 绑定是指用焊料将靶材与背靶焊接起来。主要有三种的方式：压接、钎焊和导电胶。

 1.压接：采用压条，一般为了提高接触的良好性，会增加石墨纸、Pb或In皮；

 2.钎焊：一般使用软钎料的情况下，要求溅射功率小于20W/cm2，钎料常用In、Sn、In-Sn；我司采用铟焊绑定技术。

 3.导电胶：采用的导电胶要耐高温，厚度在0.02-0.05um。