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精铝经过区熔提纯，只能达到5 的高纯铝，但如使用在有机物电解液中进行电解，金电解槽设计，可将铝提纯到99.9995%，并可除去有不利分配系数的杂质，然后进行区熔提纯数次，金电解槽设计报价，就能达到接近于 7 的纯度，杂质总含量

制备化合物半导体的金属如铟、磷，可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属，总金属杂质含量为 0.1～1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到≥6 的水平。

导电辊包括导电辊的外层由至少部分导电性由离子导电性聚合物的组合物赋予的导电性橡胶组合物构成、内层由离子导电性聚合物的组合物赋予导电性的导电层以外的橡胶等构成的双层导电辊，以及与上述相反的外层由离子导电性聚合物赋予导电性的导电层以外的橡胶等构成、内层由至少部分导电性由离子导电性聚合物的组合物赋予的导电性橡胶组合物构成的双层导电辊。

在所有应用产业中，金电解槽设计找哪家好，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大，过99.995%（4N5）纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。