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区域提纯后的金属锗，其锭底表面上的电阻率为30～50欧姆  厘米时，纯度相当于8～9，可以满足电子器件的要求。但对于杂质浓度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探测器级超纯锗，则尚须经过特殊处理。

由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1，要加强化学提纯方法除去这些杂质，然后再进行区熔提纯。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质（载流子）浓度，一般可达10～10原子/厘米。经切头去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直达到所要求的纯度（10原子/厘米），纯金靶材报价，这样纯度的锗（相当于13）所作的探测器，其分辨率已接近于理论数值。

钨-钛（W-Ti）膜以及以钨-钛（W-Ti）为基的合金膜是高温合金膜，具有一系列的优良性能。钨具有高熔点、高强度和低的热膨胀系数等性能，纯金靶材回收，W/ Ti 合金具有低的电阻系数、良好的热稳定性能。如各种器件都需要起到导电作用的金属布线，例如Al 、Cu 和Ag 等已经被广泛的应用和研究。但是布线金属本身易 氧化、易与周围的环境发生反应，与介质层的粘结性差，易扩散进入Si 与SiO2 等器件的衬底材料中，并且在较低的温度下会形成金属与Si 的化合物， 充当了杂质的角色，使器件的性能大幅度下降。

而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率，淮南纯金靶材，能够满足！导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。

为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50nm，与铜及介质材料的附着性能良好。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。铜互连的阻挡层用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。