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此外,使用混入了导电性填充剂的电子导电性橡胶的导电辊,其电阻值与施加的电压有关,存在电阻值不固定的问题。特别是采用碳黑作为导电性填充剂时,贵金属靶材生产加工,这些倾向更明显。
由于使用了电子导电性橡胶的导电辊,不论是采用间歇式制法还是连续硫化处理法,贵金属靶材,都存在电阻值不均匀的问题,所以在数字化、彩色化等提高图像质量的技术日新月异的今天,希望用离子导电性橡胶替代电子导电性橡胶。
各种纯度铝中的杂质含量及剩余电阻率如表2所示。超纯金属超纯的纯度也可以用剩余电阻率来测定,其值约为2×10-5。现代科学技术的发展趋势是对金属纯度要求越来越高。因为金属未能达到一定纯度的情况下,金属特性往往为杂质所掩盖。不仅是半导体材料,其他金属也有同样的情况,由于杂质存在影响金属的性能。
钨过去用作灯泡的灯丝,由于脆性而使处理上有困难,贵金属靶材报价,在适当提纯之后,这种缺点即可以克服(钨丝也有掺杂及加工问题)。
在所有应用产业中,半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出来.而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒,这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外,薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大,过99.995%(4N5)纯度的铜靶,或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求,但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。
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