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在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，2N金靶材厂家，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大，过99.995%（4N5）纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。

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背靶材料：

无氧铜(OFC)– 目前常使用的作背靶的材料是无氧铜，因为无氧铜具有良好的导电性和导热性，而且比较容易机械加工。 如果保养适当，无氧铜背靶可以重复使用10次甚至更多。

钼(Mo)– 在某些使用条件比较特殊的情况下，如需要进行高温帖合的条件下，2N金靶材报价，无氧化铜容易被氧化和发生翘曲， 所以会使用金属钼为背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金属靶材的热膨胀系数无法与无氧铜匹配，同样也需要使用金属钼作为背靶材料。