贵金属复合材料加工-贵金属复合材料-沈阳东创【精益求精】

 溅射靶材ITO靶材的生产工艺 ITO靶材的生产工艺可以分为3种：热等静压法(HIP)、溅射靶材热压法(HP)和气氛烧结法。各种生产工艺及其特点简介如下：

 热等静压法：ITO靶材的热等静压制作过程是将粉末或预先成形的胚体，在800℃～1400℃及1000kgf/cm 2～2000kgf/cm 2的压力下等方加压烧结。热等静压工艺制造产品密度高、物理机械性能好，贵金属复合材料厂，但设备投入高，生产成本高，产品的缺氧率高。

而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺，贵金属复合材料，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率，能够满足！导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。

为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50nm，与铜及介质材料的附着性能良好。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。铜互连的阻挡层用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。

随着黄金资源的开采紧张，民用、科技、、航天等用黄金量的增加，促使黄金价格节节上涨。电子废料与黄金等成品之间的差价是比较固定的，而金银做为，不论在任何时候总是增值的，因此销售市场不存在问题。电子垃圾成为黄金新矿源，贵金属复合材料加工，取之不绝，用之不尽。真正实现了环保的处理、循环再生利用。可见，电子垃圾的问题并不是不能解决，贵金属复合材料厂家，只要能让电子垃圾“从科技中来，到科技中去”，就可以变废为宝，产生良好的经济和社会效益。