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而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率，能够满足！导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。

为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50nm，青海2N金靶材，与铜及介质材料的附着性能良好。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。铜互连的阻挡层用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。

钨-钛靶材作为光伏电池镀膜材料是近发展起来的，它作为第三代太阳能电池的阻挡层是佳选择。

由于 W-Ti 系列薄膜具有非常优良的性能，近几年来应用量急剧增加，哪里有2N金靶材，2008年W-Ti 靶材世界用量已达到400t，随着光伏产业的发展，这种靶材的需求量会越来越大。具行业预测其用量还会有很大的增加。国际太阳能电池市场以的速度增长，目前世界有30 多公司参与太阳能市场的进一步开发， 并已有的公司产品投入市场。

各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(VLSI)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来，2N金靶材价格，溅射靶材及溅射技术的同步发展，极大地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如，在半导体集成电路制造过程中，2N金靶材报价，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线。

在被溅射的靶极（阴极）与阳极之间加一个正交磁场和电场，在高真空室中充入所需要的惰性气体（通常为Ar气），磁铁在靶材料表面形成250～350高斯的磁场，同高压电场组成正交电磁场。