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内蒙***蒸发镀靶材价格常用指南 沈阳东创环保节能

发布时间:2021-07-09 08:01:00        作者:东创贵金属








溅射技术:溅射是制备薄膜材料的主要技术之一,它利用离子源产生的离子,在真空中经过加速聚集,而形成高速度能的离子束流,轰击固体表面,离子和固体表面原子发生动能交换,使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面,被轰击的固体是制备溅射法沉积薄膜的原材料,称为溅射靶材。以往,使上述辊筒具有导电性的方法包括采用在橡胶中混入了金属氧化物粉末和碳黑等导电性填充剂的电子导电性橡胶的方法。各种类型的溅射薄膜材料无论在半导体集成电路、太阳能光伏、记录介质、平面显示以及工件表面涂层等方面都得到了广泛的应用。




各种纯度铝中的杂质含量及剩余电阻率如表2所示。区域提纯后的金属锗,其锭底表面上的电阻率为30~50欧姆厘米时,纯度相当于8~9,可以满足电子器件的要求。超纯金属超纯的纯度也可以用剩余电阻率来测定,其值约为2×10-5。现代科学技术的发展趋势是对金属纯度要求越来越高。因为金属未能达到一定纯度的情况下,金属特性往往为杂质所掩盖。不仅是半导体材料,其他金属也有同样的情况,由于杂质存在影响金属的性能。


钨过去用作灯泡的灯丝,由于脆性而使处理上有困难,在适当提纯之后,这种缺点即可以克服(钨丝也有掺杂及加工问题)。




热压法:ITO靶材的热压制作过程是在石墨或氧化铝制的模具内充填入适当粉末以后,以 100kgf/cm 2~1000kgf/cm 2的压力单轴向加压,同时以1000℃~1600℃进行烧结。钨-钛靶材作为光伏电池镀膜材料是***近发展起来的,它作为第三代太阳能电池的阻挡层是佳选择。热压工艺制作过程所需的成型压力较小,烧结温度较低,烧结时间较短。但热压法生产的ITO靶材由于缺氧率高,氧含量分布不均匀,从而影响了生产ITO薄膜的均匀性,且不能生产大尺寸的靶。



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