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发布时间:2022-07-17 11:58:00 作者:东创贵金属
在储存技术方面,高密度、大容量硬盘的发展,需要大量的巨磁阻薄膜材料,CoF~Cu多层复合膜是如今应用广泛的巨磁阻薄膜结构。磁光盘需要的TbFeCo合金靶材还在进一步发展,用它制造的磁光盘具有存储容量大,寿命长,可反复无接触擦写的特点。如今开发出来的磁光盘,具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的层复合膜结构,TbFeCo/AI结构的Kerr旋转角达到58,而TbFeCofFa则可以接近0.8。经过研究发现,低磁导率的靶材高交流局部放电电压l抗电强度。随着黄金资源的开采紧张,民用、科技、***、航天等用黄金量的增加,促使黄金价格节节上涨。
工业上大量使用的是工业纯稀土金属,较高纯度的稀土金属主要供测定物理化学性能之用。主要有四种提纯方法在试验室中使用,即真空熔融,真空蒸馏或升华,电迁移和区域熔炼。 稀土金属棒在区域熔炼炉中以很慢的速度(如提纯钇时为0.4毫米/分),进行多次区熔,对去除铁、铝、镁、铜、镍等金属杂质有***,但对氧、氮、碳、氢无效。此外,电解精炼、区熔-电迁移联合法提纯稀土也有一定效果。常用的方法有金属热还原法制取稀土金属和熔盐电解法制取稀土金属。
钨-钛(W-Ti)膜以及以钨-钛(W-Ti)为基的合金膜是高温合金膜,具有一系列的优良性能。钨具有高熔点、高强度和低的热膨胀系数等性能,W/ Ti 合金具有低的电阻系数、良好的热稳定性能。如各种器件都需要起到导电作用的金属布线,例如Al 、Cu 和Ag 等已经被广泛的应用和研究。但是布线金属本身易 氧化、易与周围的环境发生反应,与介质层的粘结性差,易扩散进入Si 与SiO2 等器件的衬底材料中,并且在较低的温度下会形成金属与Si 的化合物, 充当了杂质的角色,使器件的性能大幅度下降。而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒,这样可以简化前期的工序。
背靶材料:
无氧铜(OFC)– 目前常使用的作背靶的材料是无氧铜,因为无氧铜具有良好的导电性和导热性,而且比较容易机械加工。 如果保养适当,无氧铜背靶可以重复使用10次甚至更多。
钼(Mo)– 在某些使用条件比较特殊的情况下,如需要进行高温帖合的条件下,无氧化铜容易被氧化和发生翘曲, 所以会使用金属钼为背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金属靶材的热膨胀系数无法与无氧铜匹配,同样也需要使用金属钼作为背靶材料。
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